3/10宽能隙元件技术暨未来应用趋势研讨会

碳化硅元件开发趋势及关键技术

宽能隙(WBG) 元件(第三代半导体)——氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)，具备高电子迁移率和高功率转换效率、高击穿电压…等特性，适用于包括行动通讯设备如5G基地台、电动车、工业4.0、再生能源等对高压电源架构需求高的应用。不过，宽能隙半导体虽然具备比硅元件更好的优势，但其在半导体制程相关技术及应用设计方面难度较高。Tech Taipei「宽能隙元件技术暨未来应用趋势研讨会」强茂受邀参加发表”碳化硅元件开发趋势及关键技术”，将阐述主要议题如下:
1. SiC Target Market & PANJIT Tech Roadmap
2. Develop Trend of SiC Diode
3. Key Technology of SiC Diode
4. PANJIT SiC Diode Roadmap
5. Develop Trend of SiC MOSFET
6. Key Technology of SiC MOSFET
7. PANJIT SiC MOSFET Roadmap
欢迎参加并莅临指教。
地点: 台湾台大医院国际会议中心2楼201
日期:March, 10th, 2022
研讨会时间: 09:00~17:30(中文演讲)